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-3. Da irgendwas komisch zu sein scheint, wollen Sie die Schaltung debuggen, also den Fehler ermitteln. Sie nutzen dazu einen [[elektronik_labor:tipps_fuer_die_fehlersuche#allgemein|generischen Ansatz für die Fehlersuche]] und wollen das unklare System auf ein Minimum herunterbrechen. Konkret heißt das: Sie bauen eine geänderte Schaltung auf (**Schaltung 2**):  der Sensor wird durch einen Funktionsgenerator (gleiche Frequenz und Amplitude, aber $R_q = 50 \Omega$) ersetzt, und der Glättungskondensator $C$ wird durch eine offene Leitung ersetzt (ist also nicht mehr vorhanden). Simulieren Sie die Schaltung 2 mit dem bisherig angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf. +3. Da irgendwas komisch zu sein scheint, wollen Sie die Schaltung debuggen, also den Fehler ermitteln. Sie nutzen dazu einen [[microcontrollertechnik:tipps_fuer_die_fehlersuche#allgemein|generischen Ansatz für die Fehlersuche]] und wollen das unklare System auf ein Minimum herunterbrechen. Konkret heißt das: Sie bauen eine geänderte Schaltung auf (**Schaltung 2**):  der Sensor wird durch einen Funktionsgenerator (gleiche Frequenz und Amplitude, aber $R_q = 50 \Omega$) ersetzt, und der Glättungskondensator $C$ wird durch eine offene Leitung ersetzt (ist also nicht mehr vorhanden). Simulieren Sie die Schaltung 2 mit dem bisherig angegebenen Signal. Beschreiben Sie kurz den erwarteten und gemessenen Signalverlauf. 
  
   * Ergebnis ist das die Diode scheinbar keine Gleichrichtung zeigt. Das Ausgangssignal sieht prinzipiell wie das Eingangssignal aus, nur ein wenig gedämpft.   * Ergebnis ist das die Diode scheinbar keine Gleichrichtung zeigt. Das Ausgangssignal sieht prinzipiell wie das Eingangssignal aus, nur ein wenig gedämpft.
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 $\beta$ von richtigen Transistoren streut sehr weit, sowohl nach Temperatur, Produktion und Basisstrom $I_B$: $\beta$ von richtigen Transistoren streut sehr weit, sowohl nach Temperatur, Produktion und Basisstrom $I_B$:
  
-  * Für Gruppe A Transistoren ergibt sich: $\beta = 110..220 \rightarrow I_C = 220..440mA$ +  * Für Gruppe A Transistoren ergibt sich: $\beta = 110..220 \rightarrow I_B = 9..18\mu A$ 
-  * Für Gruppe B Transistoren ergibt sich: $\beta = 200..450 \rightarrow I_C = 400..900mA$ +  * Für Gruppe B Transistoren ergibt sich: $\beta = 200..450 \rightarrow I_B = 4..10\mu A$ 
-  * Für Gruppe C Transistoren ergibt sich: $\beta = 420..800 \rightarrow I_C = 840..1600mA$+  * Für Gruppe C Transistoren ergibt sich: $\beta = 420..800 \rightarrow I_B = 2.5..4.7 \mu A$
  
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   * Mit $I_{B,1}=50\mu A$ und $\beta=150$ ergibt sich ein maximaler Kollektorstrom $I_C= I_B \cdot \beta = 50\mu A \cdot 150 = 7.5mA$.   * Mit $I_{B,1}=50\mu A$ und $\beta=150$ ergibt sich ein maximaler Kollektorstrom $I_C= I_B \cdot \beta = 50\mu A \cdot 150 = 7.5mA$.
   * Mit $ I_C = 7.5mA$ ergibt sich ein Spannungsabfall am Widerstand $R_L$ von $U_L = R_L \ cdot I_C = 360 \Omega \cdot 7.5 mA = 2.7 V$   * Mit $ I_C = 7.5mA$ ergibt sich ein Spannungsabfall am Widerstand $R_L$ von $U_L = R_L \ cdot I_C = 360 \Omega \cdot 7.5 mA = 2.7 V$
 +  * $U_{CE,1}$ über den Transistor ergibt sich gerade als der "Rest" der Versorgungsspannung: $U_{CE,1} = U_S - U_L = 2.3V$ 
 \\ \\
  
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 Bei dem Widerstandswert $R_{D,sim}=1K\Omega$ aus der Simulation ergibt sich eine Schwelltemperatur von ca. $T_{sim} = 77...82°C$. \\ Bei dem Widerstandswert $R_{D,sim}=1K\Omega$ aus der Simulation ergibt sich eine Schwelltemperatur von ca. $T_{sim} = 77...82°C$. \\
-Bei dem Widerstandswert $R_{D,calc}=1K\Omega$ aus der Berechnung ergibt sich eine Schwelltemperatur von ca. $T_{calc} = 75...80°C$. \\+Bei dem Widerstandswert $R_{D,calc}=1K\Omega$ aus der Berechnung ergibt sich eine Schwelltemperatur von ca. $T_{calc} = 75...80°C$. \\ \\
  
 2. Als Zweites soll das System für einen Detektion der Grenztemperatur von $T_0=50°C$ konzeptioniert werden.  \\ 2. Als Zweites soll das System für einen Detektion der Grenztemperatur von $T_0=50°C$ konzeptioniert werden.  \\
 a) Die $R(T)$-Kennlinie des NTC $R_2$ ist im Diagramm unten dargestellt. Was ist der Wert von $R_2(T_0)$? \\ a) Die $R(T)$-Kennlinie des NTC $R_2$ ist im Diagramm unten dargestellt. Was ist der Wert von $R_2(T_0)$? \\
  
-$R_2(T_0) = R(50°C) = 3.75k\Omega$+$R_2(T_0) = R(50°C) = 3.75k\Omega$ \\ \\
  
 b) Der Bipolartransistor soll für $U_{BC}=0.6V$ voll leitfähig sein. Welchen Wert muss $R_1$ haben?  \\ b) Der Bipolartransistor soll für $U_{BC}=0.6V$ voll leitfähig sein. Welchen Wert muss $R_1$ haben?  \\
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 {{drawio>diagramtemperaturesensor}} {{drawio>diagramtemperaturesensor}}
  
-{{url>https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html?ctz=CQAgjCAMB0l3BWKsDMCBMAOAbNymwAWBTTQzAThARWpENoQFMBaMMAKADcQ2x0QKMr3YCwFAZCj0pSKfOgIOAJ0FiJakOgTZpYeJBXgs4Df0xbC88PA5hsYk+ivGLWNyAAmTAGYBDAFcAGwAXFiCmT3BpBUhOEJAKXRRIQldBVL1kHQB2dBQKGgRCbFIwTBzkbBTCijAchFT0Il19KW9-YJCOAHcRfkFhFAEhNMM+4cG08ymoXvTRhfR5eZnxEfVJecn1-s25vqSMtMmUse2RzNPlg80zzW1dQxRSu8y2ZMyVtClr35HhFI2nBBHg5DYFNptCAACpMAC2AAcmMo-CEAsomBwAB4ibBpdAUCxsQiVFIQAlpACqOJEpIyujYaAyVGmFgAyrTygSULRxLp8ro2SAACJc7CVdDQ7laEyUkAAJVpbElKWk+Vo8qVuKk+Qs+ksFPA+tpv1wNlBrONWmV9UEJGkLyNzkVHCAA noborder}}+{{url>https://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html?ctz=CQAgjCAMB0l3BWKsDMCBMAOAbNymwAWBTTQzAThARWpENoQFMBaMMAKADcQ2x0QKMr3YCwFAZCj0pSKfOgIOAJ0FiJakOgTZp6AOwI4K8FnAb+mLYXnh4HMNjFn0N01aweQAEyYAzAEMAVwAbABcWEKZvcGkFSE4wkApdFEhCd0F06QgYckIJBAp0yBQKTEgKfVoYJwRDIxQy7HFMfQgwOB9-YPCOAHcRfkFhFAEhDMgBzQnM2anByxGMpbH5aaXxcfVJabHzAT4dqGmUrIz9tMm98ezL9HXBy7uBbV0plGwrZ4y2VOz1mgpPdgeNhFJOvBBHg5HYFGV2PAkcjdAAVJgAWwADkxlAEwkFlEwOAAPETYDLocoiQj6LIQSkZACqpJpdLSujYaCyVBWVgAyqywMJ0E1zLpRbo+SAACJC7B09DacAisyMkAAJVZbEVaT0YvVWrJUlFVk61gZKvArOBuDs0N5VvQ2rA7JI0k+ltcmo4QA noborder}}
  
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