Unterschiede
Hier werden die Unterschiede zwischen zwei Versionen angezeigt.
Beide Seiten der vorigen Revision Vorhergehende Überarbeitung Nächste Überarbeitung | Vorhergehende Überarbeitung | ||
elektronische_schaltungstechnik_loesungen:2_dioden_und_transistoren [2022/04/20 21:17] – [Bearbeiten - Panel] tfischer | elektronische_schaltungstechnik_loesungen:2_dioden_und_transistoren [2022/12/07 14:46] (aktuell) – alte Version wiederhergestellt (2022/12/03 11:03) mexleadmin | ||
---|---|---|---|
Zeile 243: | Zeile 243: | ||
$\beta$ von richtigen Transistoren streut sehr weit, sowohl nach Temperatur, Produktion und Basisstrom $I_B$: | $\beta$ von richtigen Transistoren streut sehr weit, sowohl nach Temperatur, Produktion und Basisstrom $I_B$: | ||
- | * Für Gruppe A Transistoren ergibt sich: $\beta = 110..220 \rightarrow | + | * Für Gruppe A Transistoren ergibt sich: $\beta = 110..220 \rightarrow |
- | * Für Gruppe B Transistoren ergibt sich: $\beta = 200..450 \rightarrow | + | * Für Gruppe B Transistoren ergibt sich: $\beta = 200..450 \rightarrow |
- | * Für Gruppe C Transistoren ergibt sich: $\beta = 420..800 \rightarrow | + | * Für Gruppe C Transistoren ergibt sich: $\beta = 420..800 \rightarrow |
</ | </ | ||
Zeile 257: | Zeile 257: | ||
* Mit $I_{B, | * Mit $I_{B, | ||
* Mit $ I_C = 7.5mA$ ergibt sich ein Spannungsabfall am Widerstand $R_L$ von $U_L = R_L \ cdot I_C = 360 \Omega \cdot 7.5 mA = 2.7 V$ | * Mit $ I_C = 7.5mA$ ergibt sich ein Spannungsabfall am Widerstand $R_L$ von $U_L = R_L \ cdot I_C = 360 \Omega \cdot 7.5 mA = 2.7 V$ | ||
+ | * $U_{CE,1}$ über den Transistor ergibt sich gerade als der " | ||
\\ | \\ | ||
Zeile 329: | Zeile 330: | ||
{{drawio> | {{drawio> | ||
- | {{url> | + | {{url> |
</ | </ | ||