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$\beta$ von richtigen Transistoren streut sehr weit, sowohl nach Temperatur, Produktion und Basisstrom $I_B$: | $\beta$ von richtigen Transistoren streut sehr weit, sowohl nach Temperatur, Produktion und Basisstrom $I_B$: | ||
- | * Für Gruppe A Transistoren ergibt sich: $\beta = 110..220 \rightarrow | + | * Für Gruppe A Transistoren ergibt sich: $\beta = 110..220 \rightarrow |
- | * Für Gruppe B Transistoren ergibt sich: $\beta = 200..450 \rightarrow | + | * Für Gruppe B Transistoren ergibt sich: $\beta = 200..450 \rightarrow |
- | * Für Gruppe C Transistoren ergibt sich: $\beta = 420..800 \rightarrow | + | * Für Gruppe C Transistoren ergibt sich: $\beta = 420..800 \rightarrow |
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Zeile 257: | Zeile 257: | ||
* Mit $I_{B, | * Mit $I_{B, | ||
* Mit $ I_C = 7.5mA$ ergibt sich ein Spannungsabfall am Widerstand $R_L$ von $U_L = R_L \ cdot I_C = 360 \Omega \cdot 7.5 mA = 2.7 V$ | * Mit $ I_C = 7.5mA$ ergibt sich ein Spannungsabfall am Widerstand $R_L$ von $U_L = R_L \ cdot I_C = 360 \Omega \cdot 7.5 mA = 2.7 V$ | ||
+ | * $U_{CE,1}$ über den Transistor ergibt sich gerade als der " | ||
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Bei dem Widerstandswert $R_{D, | Bei dem Widerstandswert $R_{D, | ||
- | Bei dem Widerstandswert $R_{D, | + | Bei dem Widerstandswert $R_{D, |
2. Als Zweites soll das System für einen Detektion der Grenztemperatur von $T_0=50°C$ konzeptioniert werden. | 2. Als Zweites soll das System für einen Detektion der Grenztemperatur von $T_0=50°C$ konzeptioniert werden. | ||
a) Die $R(T)$-Kennlinie des NTC $R_2$ ist im Diagramm unten dargestellt. Was ist der Wert von $R_2(T_0)$? \\ | a) Die $R(T)$-Kennlinie des NTC $R_2$ ist im Diagramm unten dargestellt. Was ist der Wert von $R_2(T_0)$? \\ | ||
- | $R_2(T_0) = R(50°C) = 3.75k\Omega$ | + | $R_2(T_0) = R(50°C) = 3.75k\Omega$ |
b) Der Bipolartransistor soll für $U_{BC}=0.6V$ voll leitfähig sein. Welchen Wert muss $R_1$ haben? | b) Der Bipolartransistor soll für $U_{BC}=0.6V$ voll leitfähig sein. Welchen Wert muss $R_1$ haben? | ||
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